基于改进TRL校准算法的二极管参数测量

摘要: 加载二极管的频率选择表面和能量选择表面（以下统称“自激励表面”）具有自适应的防护特征，能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节，准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法，针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点，改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法；测量几种不同PIN型号的二极管，通过对比PIN参数手册与测试结果，验证了测试方法的有效性。

Abstract: 加载二极管的频率选择表面和能量选择表面（以下统称“自激励表面”）具有自适应的防护特征，能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节，准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法，针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点，改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法；测量几种不同PIN型号的二极管，通过对比PIN参数手册与测试结果，验证了测试方法的有效性。